řada: LinearMOSFET IXTH12N100L N-kanálový 12 A 1000 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
Linear
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.3mm
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
155 nC při 20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
21.46mm
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 542,52
€ 18,084 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 542,52
€ 18,084 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
Linear
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.3mm
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
155 nC při 20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
21.46mm
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products