Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 40mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
P.O.A.
Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
100
P.O.A.
Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 40mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.