N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Höhe
15.75mm
Breite
4.6mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Höhe
15.75mm
Breite
4.6mm