řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STW5NK100Z N-kanálový 3.5 A 1000 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 19,10
€ 4,775 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
4
€ 19,10
€ 4,775 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products