Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 28,40
€ 1,136 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 28,40
€ 1,136 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 45 | € 1,136 | € 5,68 |
50 - 120 | € 1,024 | € 5,12 |
125 - 245 | € 0,916 | € 4,58 |
250+ | € 0,876 | € 4,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku