řada: 2SKMOSFET 2SK4017(Q) N-kanálový 5 A 60 V, PW Mold2, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
PW Mold2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Höhe
5.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,74
€ 0,287 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 5,74
€ 0,287 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,287 | € 5,74 |
| 60 - 100 | € 0,251 | € 5,02 |
| 120 - 220 | € 0,215 | € 4,30 |
| 240 - 460 | € 0,21 | € 4,19 |
| 480+ | € 0,204 | € 4,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
PW Mold2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Höhe
5.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products