řada: TKMOSFET TK39N60W,S1VF(S N-kanálový 39 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
39 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
270 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,18
€ 5,18 Each (bez DPH)
1
€ 5,18
€ 5,18 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,18 |
| 10 - 49 | € 4,27 |
| 50 - 99 | € 3,90 |
| 100 - 199 | € 3,81 |
| 200+ | € 3,71 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
39 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
270 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products