Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1 632,00
€ 2,04 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
800
€ 1 632,00
€ 2,04 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
800
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku