Polovodičové relé 0,6 A MOSFET 60 V
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
Montáž na PCB
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Betriebstemperatur min.
-40°C
Höhe
3.6мм
Maximální provozní teplota
+85°C
Länge
9.7mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
€ 279,00
€ 5,58 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 279,00
€ 5,58 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 5,58 | € 279,00 |
| 100 - 200 | € 5,429 | € 271,46 |
| 250 - 450 | € 5,284 | € 264,22 |
| 500 - 950 | € 5,15 | € 257,52 |
| 1000+ | € 5,022 | € 251,10 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
Montáž na PCB
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Betriebstemperatur min.
-40°C
Höhe
3.6мм
Maximální provozní teplota
+85°C
Länge
9.7mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.