RELAY SSR 0.6A 60V AC/DC-O/P PDIP8 SMD
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
Montáž na PCB
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Betriebstemperatur min.
-40°C
Höhe
3.6мм
Maximální provozní teplota
+85°C
Délka
9.7mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
€ 281,40
€ 5,628 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 281,40
€ 5,628 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 5,628 | € 281,40 |
| 100 - 200 | € 5,476 | € 273,80 |
| 250 - 450 | € 5,33 | € 266,48 |
| 500 - 950 | € 5,195 | € 259,73 |
| 1000+ | € 5,065 | € 253,26 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
Montáž na PCB
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Betriebstemperatur min.
-40°C
Höhe
3.6мм
Maximální provozní teplota
+85°C
Délka
9.7mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.