MOSFET DMN1019USN-7 N-kanálový 11 A 12 V, SOT-346, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50,6 nC při 8 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.7mm
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 313,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 313,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50,6 nC při 8 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.7mm
Höhe
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products