Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

IGBT HGTG40N60B3 N-kanálový 70 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 329-0969Značka: Fairchild SemiconductorČíslo dielu výrobcu: HGTG40N60B3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

70 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT HGTG40N60B3 N-kanálový 70 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT HGTG40N60B3 N-kanálový 70 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

70 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more