IGBT ISL9V5036S3ST N-kanálový 46 A 420 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
46 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
420 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 34,84
€ 3,484 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 34,84
€ 3,484 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 3,484 | € 17,42 |
| 100 - 245 | € 2,786 | € 13,93 |
| 250 - 495 | € 2,628 | € 13,14 |
| 500+ | € 2,482 | € 12,41 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
46 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
420 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±14V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products