Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
€ 122,50
€ 2,45 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 122,50
€ 2,45 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,45 | € 12,25 |
125 - 245 | € 2,312 | € 11,56 |
250 - 495 | € 2,144 | € 10,72 |
500+ | € 1,976 | € 9,88 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.295 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon