Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
SIPMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
SIPMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China