Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
54 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
215 W
Gehäusegröße
EASY2B
Konfigurace
3fázový můstek
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
35
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 824,76
€ 54,984 Each (In a Box of 15) (bez DPH)
15
€ 824,76
€ 54,984 Each (In a Box of 15) (bez DPH)
15
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Škatuľa |
---|---|---|
15 - 15 | € 54,984 | € 824,76 |
30+ | € 52,235 | € 783,52 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
54 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
215 W
Gehäusegröße
EASY2B
Konfigurace
3fázový můstek
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
35
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.