Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
53 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
1050pF
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
1.13mJ
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 49,68
€ 2,484 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 49,68
€ 2,484 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
20 - 48 | € 2,484 | € 4,97 |
50 - 98 | € 2,318 | € 4,64 |
100 - 198 | € 2,151 | € 4,30 |
200+ | € 2,015 | € 4,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
53 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
1050pF
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
1.13mJ
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.