Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO252-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 775,22
€ 0,388 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
MOSFET IPD038N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
2000
€ 775,22
€ 0,388 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
MOSFET IPD038N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,388 | € 775,22 |
4000+ | € 0,378 | € 755,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO252-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC