Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: OptiMOS™ 2MOSFET IPP12CN10LGXKSA1 N-kanálový 69 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-8707Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPP12CN10LGXKSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

69 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

15.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

58 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

15.95mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2

Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 57,88

€ 1,158 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 2MOSFET IPP12CN10LGXKSA1 N-kanálový 69 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 57,88

€ 1,158 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 2MOSFET IPP12CN10LGXKSA1 N-kanálový 69 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
50 - 50€ 1,158€ 57,88
100 - 200€ 0,938€ 46,89
250 - 450€ 0,91€ 45,48
500 - 950€ 0,886€ 44,31
1000+€ 0,864€ 43,21

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

69 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

15.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

58 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

15.95mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2

Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more