řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 913-4705Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLML5203TRPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

165 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,5 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 266,98

€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 266,98

€ 0,089 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaCievka
3000 - 3000€ 0,089€ 266,98
6000 - 6000€ 0,085€ 253,63
9000+€ 0,079€ 237,61

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

165 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,5 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more