Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: SIPMOS®MOSFET SPD30P06PGBTMA1 P-kanálový 30 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 898-6864Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: SPD30P06P G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

32 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.7V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 11,75

€ 1,175 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: SIPMOS®MOSFET SPD30P06PGBTMA1 P-kanálový 30 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 11,75

€ 1,175 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: SIPMOS®MOSFET SPD30P06PGBTMA1 P-kanálový 30 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 40€ 1,175€ 11,75
50 - 240€ 1,114€ 11,14
250 - 490€ 0,924€ 9,24
500 - 1240€ 0,809€ 8,09
1250+€ 0,643€ 6,43

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

32 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.7V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more