řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN80N50P N-kanálový 66 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 920-0745Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXFN80N50P
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

66 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

25.07mm

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

38.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

195 nC při 10 V

Höhe

9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 264,17

€ 26,417 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN80N50P N-kanálový 66 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 264,17
20€ 528,34
30€ 792,51
40€ 1 056,68
50€ 1 320,85
60€ 1 585,02
70€ 1 849,19
80€ 2 113,36
90€ 2 377,53
100€ 2 641,70
110€ 2 905,87
120€ 3 170,04
130€ 3 434,21
140€ 3 698,38
150€ 3 962,55

€ 264,17

€ 26,417 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN80N50P N-kanálový 66 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 264,17
20€ 528,34
30€ 792,51
40€ 1 056,68
50€ 1 320,85
60€ 1 585,02
70€ 1 849,19
80€ 2 113,36
90€ 2 377,53
100€ 2 641,70
110€ 2 905,87
120€ 3 170,04
130€ 3 434,21
140€ 3 698,38
150€ 3 962,55

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

66 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

SOT-227

Řada

HiperFET, Polar

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

25.07mm

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

38.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

195 nC při 10 V

Höhe

9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more