řada: Linear L2MOSFET IXTN200N10L2 N-kanálový 178 A 100 V, SOT-227, počet kolíků: 4
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
178 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
Linear L2
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.07mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
540 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
9.6mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 466,75
€ 46,675 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 466,75
€ 46,675 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
178 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
Linear L2
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.07mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
540 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
9.6mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products