řada: 2N7000MOSFET 2N7000-G N-kanálový 200 mA 60 V, TO-92, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2N7000
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.06mm
Länge
5.08mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.85V
Höhe
5.33mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
€ 350,40
€ 0,35 Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
€ 350,40
€ 0,35 Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2N7000
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.06mm
Länge
5.08mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.85V
Höhe
5.33mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China