Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Dvoučipové tranzistory se dvěma a čtyřmi jádry, společnost Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Dvoučipové tranzistory se dvěma a čtyřmi jádry, společnost Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.