MOSFET BSS123LT1G N-kanálový 170 mA 100 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,70
€ 0,077 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 7,70
€ 0,077 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,077 | € 0,77 |
| 250 - 490 | € 0,068 | € 0,68 |
| 500 - 990 | € 0,059 | € 0,59 |
| 1000+ | € 0,054 | € 0,54 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products