Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
100 W
Minimální proudový zisk DC
8, 15
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 8,76
€ 1,752 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 8,76
€ 1,752 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
100 W
Minimální proudový zisk DC
8, 15
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.