IGBT HGT1S10N120BNST N-kanálový 80 A 1200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
298 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 11.33 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,30
€ 5,65 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 11,30
€ 5,65 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,65 | € 11,30 |
| 20 - 198 | € 4,87 | € 9,74 |
| 200+ | € 4,225 | € 8,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
298 W
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.67 x 11.33 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products