Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Počet kolíků
16
Počet prvků na čip
4
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoučipové tranzistory se dvěma a čtyřmi jádry, společnost Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 1 995,00
€ 0,798 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 995,00
€ 0,798 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Počet kolíků
16
Počet prvků na čip
4
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoučipové tranzistory se dvěma a čtyřmi jádry, společnost Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.