MOSFET NTR2101PT1G P-kanálový 3,7 A 8 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
960 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,42
€ 0,084 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 8,42
€ 0,084 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,084 | € 4,21 |
| 250 - 450 | € 0,08 | € 4,02 |
| 500 - 950 | € 0,078 | € 3,89 |
| 1000+ | € 0,074 | € 3,72 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
960 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products