Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
€ 17,28
€ 1,728 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 17,28
€ 1,728 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,728 | € 17,28 |
100 - 240 | € 1,489 | € 14,89 |
250+ | € 1,291 | € 12,91 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia