řada: BSMNapájecí modul SiC BSM120D12P2C005 N-kanálový 120 A 1200 V, C, počet kolíků: 4 dvojitý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Řada
BSM
Gehäusegröße
c
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
935 W
Počet prvků na čip
2
Breite
45.6mm
Materiál tranzistoru
SiC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
122mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
17mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 425,53
€ 425,53 Each (bez DPH)
1
€ 425,53
€ 425,53 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 425,53 |
| 5 - 9 | € 414,47 |
| 10 - 24 | € 403,82 |
| 25+ | € 393,61 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Řada
BSM
Gehäusegröße
c
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
935 W
Počet prvků na čip
2
Breite
45.6mm
Materiál tranzistoru
SiC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
122mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
17mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products