Semikron Bridge Rectifier, 15A, 800V, 4-Pin
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronTyp můstku
Single Phase
Průměrný špičkový propustný proud
15A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
800V
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Gehäusegröße
G 12
Pinanzahl
4
Konfigurace
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
370A
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Špičkové propustné napětí
2.2V
Abmessungen
55 x 45 x 24mm
Länge
55mm
Höhe
24mm
Breite
45mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronTyp můstku
Single Phase
Průměrný špičkový propustný proud
15A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
800V
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Gehäusegröße
G 12
Pinanzahl
4
Konfigurace
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
370A
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Špičkové propustné napětí
2.2V
Abmessungen
55 x 45 x 24mm
Länge
55mm
Höhe
24mm
Breite
45mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.