řada: STripFETMOSFET IRF630 N-kanálový 9 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 34,10
€ 1,364 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
25
€ 34,10
€ 1,364 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,364 | € 6,82 |
| 50 - 120 | € 1,226 | € 6,13 |
| 125 - 245 | € 1,102 | € 5,51 |
| 250+ | € 1,046 | € 5,23 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products