Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
18 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0.5 V, +15 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
4.6mm
Breite
2.6mm
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
18 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-0.5 V, +15 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
4.6mm
Breite
2.6mm
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.