řada: MDmesh M2MOSFET STD6N60M2 N-kanálový 4,5 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,54
€ 1,908 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,54
€ 1,908 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,908 | € 9,54 |
| 25 - 45 | € 1,812 | € 9,06 |
| 50 - 120 | € 1,632 | € 8,16 |
| 125 - 245 | € 1,472 | € 7,36 |
| 250+ | € 1,394 | € 6,97 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products