řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5A N-kanálový 100 A 60 V, VSONP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 827-4909Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD18563Q5A
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

VSONP

Řada

NexFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

10.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.7V

Maximální ztrátový výkon

3.2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.8mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 6,84

€ 1,368 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5A N-kanálový 100 A 60 V, VSONP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 6,84

€ 1,368 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5A N-kanálový 100 A 60 V, VSONP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 1,368€ 6,84
25 - 95€ 1,208€ 6,04
100 - 245€ 1,048€ 5,24
250 - 495€ 0,982€ 4,91
500+€ 0,932€ 4,66

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

VSONP

Řada

NexFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

10.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.7V

Maximální ztrátový výkon

3.2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.8mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more