Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)

Skladové číslo RS: 695-4849Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: SSM6N35FU(TE85L,F)
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

US6

Řada

SSM6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Länge

1.25mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Höhe

0.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,06

€ 2,06 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)

€ 2,06

€ 2,06 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cena
1 - 4€ 2,06
5 - 14€ 1,44
15 - 49€ 1,25
50 - 99€ 0,99
100+€ 0,87

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

US6

Řada

SSM6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Länge

1.25mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Höhe

0.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more