MOSFET IRFU9110PBF P-kanálový 3.1 A 100 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3,1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1,66
€ 1,66 Each (bez DPH)
1
€ 1,66
€ 1,66 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,66 |
| 10 - 49 | € 1,49 |
| 50 - 99 | € 1,40 |
| 100 - 249 | € 1,24 |
| 250+ | € 1,15 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3,1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products