MOSFET SI7129DN-T1-GE3 P-kanálový 11,5 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 818-1384PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI7129DN-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

52,1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.15mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

47,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-50 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 65,40

€ 0,654 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI7129DN-T1-GE3 P-kanálový 11,5 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

100

Dostupné v násobkoch 20
100€ 65,40
120€ 78,48
140€ 91,56
160€ 104,64
180€ 117,72
200€ 125,30
220€ 137,83
240€ 150,36
260€ 162,89
280€ 175,42
300€ 187,95
320€ 200,48
340€ 213,01
360€ 225,54
380€ 238,07

€ 65,40

€ 0,654 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI7129DN-T1-GE3 P-kanálový 11,5 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

100

Dostupné v násobkoch 20
100€ 65,40
120€ 78,48
140€ 91,56
160€ 104,64
180€ 117,72
200€ 125,30
220€ 137,83
240€ 150,36
260€ 162,89
280€ 175,42
300€ 187,95
320€ 200,48
340€ 213,01
360€ 225,54
380€ 238,07

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
100 - 180€ 0,654€ 13,08
200 - 480€ 0,626€ 12,53
500 - 980€ 0,557€ 11,14
1000+€ 0,522€ 10,44

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

52,1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.15mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

47,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-50 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more