Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,2 nC při 15 V
Höhe
0.58mm
Řada
DMN3025LFDF
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
U-DFN2020
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,2 nC při 15 V
Höhe
0.58mm
Řada
DMN3025LFDF
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku