IGBT modul 7MBR50VB-120-50 N-kanálový 50 A 1200 V, M712, počet kolíků: 24 3fázový

Skladové číslo RS: 110-9135Značka: Fuji ElectricČíslo dielu výrobcu: 7MBR50VB-120-50
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

280 W

Gehäusegröße

M712

Konfiguration

3fázový můstek

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

24

Konfigurace tranzistoru

3 Phase

Abmessungen

122 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly 7-Pack, Fuji Electric

Řada V

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT modul 7MBR50VB-120-50 N-kanálový 50 A 1200 V, M712, počet kolíků: 24 3fázový

P.O.A.

IGBT modul 7MBR50VB-120-50 N-kanálový 50 A 1200 V, M712, počet kolíků: 24 3fázový
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

280 W

Gehäusegröße

M712

Konfiguration

3fázový můstek

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

24

Konfigurace tranzistoru

3 Phase

Abmessungen

122 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly 7-Pack, Fuji Electric

Řada V

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more