IGBT modul 2MBI900VXA-120P-50 N-kanálový 900 A 1200 V, M271, počet kolíků: 4

Skladové číslo RS: 761-3420Značka: FujiČíslo dielu výrobcu: 2MBI900VXA-120P-50
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Fuji

Dauer-Kollektorstrom max.

900 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

5.1 kW

Gehäusegröße

M271

Konfigurace

Series

Montage-Typ

Screw Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

4

Abmessungen

172 x 89 x 38mm

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly 2-Pack, Fuji Electric

Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT modul 2MBI900VXA-120P-50 N-kanálový 900 A 1200 V, M271, počet kolíků: 4

P.O.A.

IGBT modul 2MBI900VXA-120P-50 N-kanálový 900 A 1200 V, M271, počet kolíků: 4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Fuji

Dauer-Kollektorstrom max.

900 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

5.1 kW

Gehäusegröße

M271

Konfigurace

Series

Montage-Typ

Screw Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

4

Abmessungen

172 x 89 x 38mm

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly 2-Pack, Fuji Electric

Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more