Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 A, 522 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
305 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
COOLiRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti Infineon COOLiRFET™, které jsou odolné vůči automobilovému průmyslu, dosahují velmi nízké odolnosti proti nárazům (RDS(on)), velmi nízké ztráty vedení, což vede k vysoce efektivním spínacím rychlostem vysokoproudových signálů. Poskytují vyšší efektivitu, hustotu výkonu a spolehlivost v prostředích s tvrdým signálem s robustním výkonem laviny, nízkými ztrátami vedení, rychlými přepínanými rychlostmi a maximální teplotou spoje 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 A, 522 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
305 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
COOLiRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti Infineon COOLiRFET™, které jsou odolné vůči automobilovému průmyslu, dosahují velmi nízké odolnosti proti nárazům (RDS(on)), velmi nízké ztráty vedení, což vede k vysoce efektivním spínacím rychlostem vysokoproudových signálů. Poskytují vyšší efektivitu, hustotu výkonu a spolehlivost v prostředích s tvrdým signálem s robustním výkonem laviny, nízkými ztrátami vedení, rychlými přepínanými rychlostmi a maximální teplotou spoje 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.