Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální bipolární tranzistory se zápisem, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,113
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,113
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,113 | € 337,56 |
6000 - 6000 | € 0,107 | € 320,68 |
9000+ | € 0,10 | € 300,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku