Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
150 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
7,5 GHz
Pinanzahl
4
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
150 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
7,5 GHz
Pinanzahl
4
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku