Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
OptiMOS 3
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Breite
6.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,61
Each (On a Reel of 5000) (bez DPH)
5000
€ 0,61
Each (On a Reel of 5000) (bez DPH)
5000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
OptiMOS 3
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Breite
6.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.