Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
16kbit
Organizace
2K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - 2drátové, sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
3000ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
4mm
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 12,78
€ 2,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 12,78
€ 2,556 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
16kbit
Organizace
2K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - 2drátové, sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
3000ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
4mm
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.