Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
CoolMOS CE
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
28 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.3mm
Breite
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
16.27mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,19
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 1,19
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,19 | € 5,95 |
50 - 120 | € 1,06 | € 5,30 |
125 - 245 | € 0,99 | € 4,95 |
250 - 495 | € 0,92 | € 4,60 |
500+ | € 0,86 | € 4,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
CoolMOS CE
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
28 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.3mm
Breite
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
16.27mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.