Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1,82
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB013N06NF2SATMA1 N-kanálový 190 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
800
€ 1,82
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB013N06NF2SATMA1 N-kanálový 190 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
800
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Materiál tranzistoru
SiC